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DDR-200：DDR-SDRAM 记忆芯片在 100MHz 下运行
DDR-266：DDR-SDRAM 记忆芯片在 133MHz 下运行
DDR-333：DDR-SDRAM 记忆芯片在 166MHz 下运行
DDR-400：DDR-SDRAM 记忆芯片在 200MHz 下运行（JEDEC制定的DDRZui高规格）
DDR-500：DDR-SDRAM 记忆芯片在 250MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
DDR-600：DDR-SDRAM 记忆芯片在 300MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
DDR-700：DDR-SDRAM 记忆芯片在 350MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
芯片模块 
为了要增加内存的容量和带宽，芯片会利用模块结合。例如，有关 DIMMs 的64位bus需要8个8位的芯片并发处理。与常见的地址线（address lines）的多个芯片被称为memoryrank。这个术语被引入，是要避免与芯片内部row和bank的混乱。
PC-1600存储器{模块}指工作在 100MHz 下的DDR-200内存芯片，其拥有 1.600GB/s 的带宽
PC-2100存储器模块指工作在 133MHz 下的DDR-266内存芯片，其拥有 2.133GB/s 的带宽
PC-2700存储器模块指工作在 166MHz 下的DDR-333内存芯片，其拥有 2.667GB/s 的带宽
PC-3200存储器模块指工作在 200MHz 下的DDR-400内存芯片，其拥有 3.200GB/s 的带宽